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氧化鈣與二氧化碳反應過(guò)程中的產(chǎn)物層擴散

時(shí)間:2020-04-25來(lái)源:m.yzgh17.com

  研究了15-20μm無(wú)孔氧化鈣晶體在550-1100℃和1-11.7atm二氧化碳壓力范圍內的碳化速率,在高于600℃的溫度下,碳化速率隨時(shí)間的減少比通過(guò)均勻產(chǎn)物層擴散所預期的要快,且活化能起初較低,但隨著(zhù)轉化率的增加而增加。

氧化鈣與二氧化碳反應過(guò)程中的產(chǎn)物層擴散

  產(chǎn)物層由晶粒組成,這些產(chǎn)物層晶粒由直徑小于1μm的顆粒聚結生長(cháng)到顆粒的近似尺寸,碳化速率可以用CO2壓力無(wú)關(guān)的晶界擴散和通過(guò)碳酸鹽晶體的擴散平行作用的模型來(lái)描述。

  通過(guò)產(chǎn)物層晶體的體擴散相對于晶界傳輸的相對重要性隨著(zhù)時(shí)間的增加而增加,有效活化能為57kcal/mol。

  通過(guò)晶界的擴散具有較低的活化能和對CO2壓力的依賴(lài)性,當溫度大于900°C,時(shí)間大于600 min時(shí),通過(guò)產(chǎn)物層的體擴散占關(guān)鍵地位,速率接近CO2壓力。

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